-
RFTXXN-10CR2550C Rezistor de rezistență la Chip RF
Model RFTXXN-10CR2550C Putere 10 W Rezistență xx ω (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ substrat ALN Element rezistent la Film grosime de funcționare -55 până la +150 ° C (a se vedea Depunerea de putere) Procedurile de montare sugerate de stocare a puterii de rentabilitate a profilului de reținere P/N a desemnatului Utilizarea desemnării de stocare a puterii de reducere a Platelor Reflow P/N Designing Utilizare Designing Utilizare ■ În urma perioadei de stocare a puterii de reducere a Platelor de reducere a Profilului P/N NOT DE ATANGARE A CONESTITURARE depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXX-20CR2550C Rezistor de rezistență RF RF
Proceduri de montare sugerate Declinarea puterii Profilul de reflow P/N Desemnare Utilizare ■ După perioada de depozitare a pieselor recent achiziționate depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Se recomandă depozitarea după ambalaje în vid. ■ Drill Vias termic prin PCB și umpleți cu lipit. ■ Sudarea cu reflow este preferată pentru sudare, a se vedea curba de reflow ■ Pentru a îndeplini cerințele desenului, trebuie instalat un radiator de dimensiuni suficiente. ■ Dacă este necesar, ... -
RFTXX-30CR2550TA Rezistor Rezistor RF de rezistență la suprafață
Model RFTXX-30CR2550TA Power 30W Rezistență xx Ω (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ substrat Beo Resister Element grosime de film de funcționare -55 până la +150 ° C (a se vedea Depunerea de putere) Proceduri de montare sugerate de stocare a puterii de rentabilitate a profilului de reținere P/N a desemnatului utilizarea desemnării de stocare a perioadei de stocare a puterii de reducere a profilului de rentabilitate P/N a desemnatului de utilizare ■ În urma perioadei de stocare a puterii de reducere a profilului de rentabilitate P/N a desemnatului N-a utilizat atenția de stocare a perioadei de stocare a puterii de reducere a profilului de rentabilitate P/N a desemnatului NECISE ÎNVĂȚAREA ÎNVĂȚĂTORUL 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
Izolator în bandă largă
Izolatoarele de bandă largă sunt componente importante în sistemele de comunicare RF, oferind o serie de avantaje care le fac extrem de potrivite pentru diverse aplicații. Aceste izolatoare oferă o acoperire în bandă largă pentru a asigura performanța eficientă pe o gamă largă de frecvență. Cu capacitatea lor de a izola semnalele, acestea pot preveni interferența din semnalele de bandă și pot menține integritatea semnalelor de bandă. Unul dintre avantajele principale ale izolatoarelor de bandă largă este performanța lor excelentă de izolare ridicată. Ele izolează eficient semnalul la capătul antenei, asigurându -se că semnalul la capătul antenei nu este reflectat în sistem. În același timp, aceste izolatoare au caracteristici bune de undă în picioare, reducând semnalele reflectate și menținând transmisia stabilă a semnalului.
Frecvență interval de 56 MHz până la 40GHz, BW până la 13,5 GHz.
Aplicații militare, spațiale și comerciale.
Pierderi scăzute de inserție, izolare ridicată, manipulare mare a puterii.
Design personalizat disponibil la cerere.
-
RFTXX-30CR6363C Rezistor Rezistor RF de montare la suprafață
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXX-30CR2550W Rezistor de rezistență la montare la suprafață
Model RFTXX-30CR2550W Putere 30 W Rezistență xx ω (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ Substrat Beo Resisive Element grosime de film de funcționare -55 până la +150 ° C (a se vedea Depunerea de putere) Proceduri de montare sugerate de stocare a puterii de rentabilitate a profilului de reținere P/N a desemnatului de utilizare ■ După perioada de stocare a puterii de reducere a profilului de rentabilitate P/ 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXXN-02CR2550B, rezistență la cip, rezistență RF
Model RFTXXN-02CR2550B Putere 2 W Rezistență xx ω (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ substrat ALN Element rezistiv de film grosime de funcționare -55 -55 până la 150 ° C (a se vedea de-ratatul de putere) după ce procedurile de depozitare a pieselor de stocare a rentabilității de reținere a reformării P. depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
Microstrip atenuator cu mânecă
Atenuatorul microstrip cu mânecă se referă la un cip de atenuare a microstrip spirală cu o valoare specifică de atenuare introdusă într -un tub circular de metal de o dimensiune specifică (tubul este în general confecționat din material de aluminiu și necesită oxidare conductivă și poate fi, de asemenea, placat cu aur sau argint, după cum este necesar).
Design personalizat disponibil la cerere.
-
RFTXXA-02CR3065B Rezistor RF Rezistor RF
Model RFTXXA-02CR3065B Power 2 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate Al2O3 Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased Piesele depășesc 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXXN-05CR1530C Rezistor de rezistență RF RF
Model RFTXXN-05CR1530C Putere 5 W Rezistență xx ω ~ (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ substrat ALN Element rezistiv de film grosime de funcționare -55 până la +150 ° C (a se vedea de-ratatul de putere) După procedurile de stocare a puterii de reținere a unor piese de reținere a pieselor reduse P/ depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXX-05CR2550W Rezistor de rezistență la cip RF
Model RFTXX-05CR2550W Power 5 W Rezistență xx ω (10 ~ 3000Ω personalizabil) Toleranță la rezistență ± 5% Coeficient de temperatură <150ppm/℃ substrat Beo Resistive Element grosime de film de funcționare -55 până la +150 ° C (a se vedea Depunerea de putere) Procedurile de montare sugerate de stocare a puterii de rentabilitate a unor piese de rentabilitate P/N Designing Utilizarea desemnării de stocare a puterii de reducere a Platelor de reținere P/N Designing Utilizare Designing Utilizare ■ În urma puterii de stocare a puterii de reducere a Platelor de rentabilitate P/N Designing Utilizarea desemnării de stocare a puterii de reducere a Platelor Reflow P. depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ... -
RFTXX-30CR6363C Rezistor de rezistență RF RF
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts depășește 6 luni, se acordă atenție sudabilității înainte de utilizare. Este recomandat ...
