produse

Produse

Încetare flanșată

Terminațiile cu flanșă sunt instalate la capătul unui circuit, care absorb semnale transmise în circuit și împiedică reflectarea semnalului, afectând astfel calitatea de transmisie a sistemului de circuit. Terminalul flancat este asamblat prin sudare Mărimea flanșei este de obicei proiectată pe baza combinației de găuri de instalare și dimensiuni de rezistență la terminal. Personalizarea poate fi realizată și în conformitate cu cerințele de utilizare ale clientului.


  • Putere nominală:5-1500W
  • Materiale de substrat:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Valoarea nominală a rezistenței:50Ω
  • Toleranță la rezistență:± 5%、 ± 2%、 ± 1%
  • Coeficient de temperatură:< 150ppm/℃
  • Temperatura de funcționare:-55 ~+150 ℃
  • Acoperire cu flanșă:Placare opțională de nichel sau argint
  • Standard ROHS:Conform
  • Lungimea plumbului:L, după cum este specificat în fișa de date
  • Design personalizat disponibil la cerere.:
  • Detaliu produs

    Etichete de produs

    Încetare flanșată

    Încetare flanșată
    Principalele specificații tehnice :

    Putere nominală : 5-1500W ;
    Materiale de substrat : Beo 、 ALN 、 AL2O3
    Valoarea de rezistență nominală : 50Ω
    Toleranță la rezistență : ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    Coeficient de temperatură : < 150ppm/℃
    Temperatura de funcționare : -55 ~+150 ℃
    Acoperire cu flanșă: placare opțională de nichel sau argint
    Standard ROHS: Conform cu
    Standard aplicabil: Q/RFTYTR001-2022
    Lungimea plumbului: L, după cum este specificat în fișa de date
    (Poate fi personalizat în conformitate cu cerințele clienților)

    ZXCZXC1
    Putere
    (W)
    Frecvenţă
    Gamă
    Dimensiune (unitate: mm) SubstratMaterial Configurație Fișa cu date
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Fig1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Fig1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Fig2   RFT50A-05TM0904 (R, L, I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Fig2   RFT50-10TM7750 ((R, L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Fig1   RFT50A-10TM1304
    Aln Fig1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Fig1   RFT50A-10TM1104
    Aln Fig1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Fig2   RFT50A-10TM0904 (R, L, I)
      Aln Fig2   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Fig1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Beo Fig1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Fig2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Fig2   RFT50-10TM7750I
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Fig2   RFT50-20TM7750 ((R, L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Aln Fig1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Aln Fig1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Aln Fig2   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Fig1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Beo Fig1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Beo Fig2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 Beo Fig2   RFT50-10TM7750I
    30W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Aln Fig1   RFT50N-30TJ1606
    Beo Fig1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig1   RFT50N-30TJ2006
    Beo Fig1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig2   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3.0 Beo Fig2   RFT50-30TM1306 (R, L, I)
    60W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 Aln Fig1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 Beo Fig1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 Beo Fig1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig2   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 Beo Fig2   RFT50-60TM1306 (R, L, I)
    法兰式终端 Fig3,4,5
    Putere
    (W)
    Frecvenţă
    Gamă
    Dimensiuni (unitate: mm) Substrat
    Material
    Configurație Fișă de date (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Fig1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 Beo Fig2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig4   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 Beo Fig2   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 Beo Fig1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 Aln Fig1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 Aln Fig1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig4   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 Ain Fig1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Fig1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig4   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 Beo Fig1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig2   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Fig1   RFT50-200TM3213B
    250W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Fig1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 Beo Fig1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 Beo Fig1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Fig1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Fig1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 Beo Fig1   RFT50-500TM3213
    800W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 Beo Fig5   RFT50-800TM4826
    1000W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 Beo Fig5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 Beo Fig5   RFT50-1500TM5078

    Prezentare generală

    Flanșa este, în general, din procesare de nichel placat cu cupru sau argint. Substratul de rezistență este, în general, din oxid de beriliu, nitrură de aluminiu și imprimare de oxid de aluminiu în funcție de cerințele de putere și de condițiile de disipare a căldurii.

    Încetarea flanșă, la fel ca terminarea plumbului, este utilizată în principal pentru a absorbi undele de semnal transmise la capătul circuitului, pentru a împiedica reflectarea semnalului să afecteze circuitul și să asigure calitatea de transmisie a sistemului de circuit.

    Încetarea flanșă are caracteristica instalării ușoare în comparație cu rezistențele de plasture datorită flanșei și găurilor de montare pe flanșă.


  • Anterior:
  • Următorul: